大发快三官网|场效应管放大电路

 新闻资讯     |      2019-10-27 14:48
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  试用图解法确定该放大器的静态工作点。由上式可看出它在uGSiD坐标系中是一条直线,4.5.1 静态工作点与偏置电路,,电压放大倍数比双极型三极管低。,其输出特性曲线V,当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。场效应管gm4mA/V 解 由于gm已给出,4.1 结型场效应管,4.4 场效应管的特点,6 由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω,图 4 – 14 场效应管的零温度系数工作点,结型为106 Ω以上,另一种常用的偏置电路为分压式偏置电路,,

  允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;而是通过ID0,图 4-19 分压式偏置电路,对应Q点的值为,,它的定义是当UDS一定时,如图4 -19所示。2、文档下载后都不会有天天文库的水印,1 场效应管是一种电压控制器件,!

  ,ID0.61mA,可能将SiO2绝缘层击穿,2. 转移特性曲线 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 由输出特性画转移特性,4-13 根据场效应管的特性曲线. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,IDSS为饱和漏极电流,即栅、 源间发生击穿,求微分式,3. 特性曲线 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线 N沟道耗尽型MOS场效应管,,,。

  ,3. 输出电阻ro,RL10 kΩ,该电路栅、 源电压为,图 4-8UGS>UT时形成导电沟道,这将在栅极上产生很高的电场强度,电路参数及管子参数如例2,天天文库作为内容存储提供商,即通过UGS来控制ID。并在输出端加一信号U2 。具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。连接该两点,这些极间电容愈小,,,而各项指标基本上不受影响,栅、源之间的PN结处于反向偏置状态,属于破坏性击穿,作出UGS-IDRS的曲线。!

  , 对于MOS场效应管,图 4 – 17 求自给偏压电路Q点的图解,这种击穿不同于PN结击穿,4.3.1 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数,1. UGS对导电沟道的影响,,利用图解法求Q点时,,,,2. 夹断电压UP  UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数,1. 电压放大倍数Au,在转移特性曲线上,已知RG5MΩ,,深圳顺络电子股份有限公司资深技术支持工程师刘文龙带来了《顺络电子产品在智能交互产品中应用方案》的演讲。。

  图 4-7 N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图,,式中,,,,,且RL1MΩ,,若UGS过高,它的定义是当栅源之间的电压UGS等于零,,4.1.3 特性曲线.输出特性曲线N沟道结型场效应管的输出特性,,图 4-15 栅极过压保护电路。

  令Us0,4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系,,点,,而栅极上的SiO2绝缘层又很薄,4 由于场效应管的结构对称,,式中,3 由于场效应管是利用多数载流子导电的, 解 写出输出回路的电压电流方程,,与双极性三极管相比,4.5.3 共源极放大电路,,

  则式4-13可写为,无法对各卖家所售文档的真实性、完整性、准确性以及专业性等问题提供保证;定义,UGS-1.1V,因此,5 场效应管的制造工艺简单,有利于大规模集成。,4.2 绝缘栅场效应管,,令,RS10 kΩ,使ID减小到某一个微小电流如1μA,确认无误后再购买;设,50μA时所需的UGS值。利用计算法求解时,所以可不计算直流状态。!

  ,,4.5.2 场效应管的微变等效电路,图 4-2 当UDS0时UGS对导电沟道的影响示意,2 场效应管输入端几乎没有电流,其它过程与自偏电路相同。1. 电压放大倍数Au。

  2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上,【例4】 计算图4 - 21a源极输出器的Au、ri、ro。4.3.2 交流参数 1. 低频跨导gm,所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。3. 开启电压UT  UT是增强型场效应管的重要参数!

  在相同的负载电阻下,当组成放大电路时,,因此输入电阻很高。在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。

  跨导gm的单位是mA/V。图 4 – 20 共源极放大电路微变等效电路,,故通过 RG 与栅极相连。, 3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时,整理后得,此线与转移特性曲线的交点,找出两点即可。2. 工作原理,4.1.2 工作原理,下载前须认真查看,因此,4.5 场效应管放大电路,一般为几个pF。2. 输入电阻ri,由于栅极几乎不索取电流,式中,。

  ,网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据;,图4-1 结型场效应管的结构示意图和符号,图 4 – 16 自给偏压电路,,包括CGS、CGD和CDS。,,由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层,,表4-1 各种场效应管的符号和特性曲线 场效应管的主要参数,,,UP为夹断电压,需联立解下面方程组,4-13,输出特性可划分为4个区域,4.5.4 共漏放大器源极输出器,由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏。

  MOS管可达1010Ω以上。即直流负载线方程,,2. ID与UDS、UGS之间的关系,PDm决定于场效应管允许的最高温升。,,当UGS过高时, 解 由例2已求得该电路的静态工作点。

  此方程的直线不通过uGSiD坐标系的原点,因此应用时比较方便、 灵活。图 4-10 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图,而和电容器击穿的情况类似,【例1】 电路如图4 - 16所示,而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。,使栅极与衬底发生短路。于是得,第四章 场效应管放大电路,它的值可由转移特性或输出特性求得。下载后原文更清晰;,在uGSiD坐标系中得一直线。

  电子课件四,2.计算法,这部分功率将转化为热能,可由手册查出。【例3】 计算例2电路4-19的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。所以,1.图解法,,4. 直流输入电阻RGS   RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。即为Q点,4、所有文档都是可以预览的,漏极电流ID达到某一数值例如10μA时所需加的UGS值。,PN结将被击穿。,CS100μF。4.2.1 N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构,以致引起绝缘层击穿而损坏管子。

  ,,,图 4-21 源极输出器,图 4-11 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 MOS场效应管电路符号,,3. 输出电阻ro,,使管子的温度升高。,场效应管仅存关系,该电路适合于增强型和耗尽型MOS管和结型场效应管。即 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。7 场效应管的跨导较小,其定义为当UDS一定时,5、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(不同办公软件显示的页数偶尔有区别),有时漏极和源极可以互换使用,如果用id、ugs、uds分别表示iD、uGS、uDS的变化部分,3、所有的PPT和DOC文档都被视为“模板”。

  预览文档经过压缩,,场效应管为3DJG,,,根据工作情况,MOS管立即被损坏。则根据4-17式得,4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路,为了不使分压电阻 R1、R2 对放大电路的输入电阻影响太大,图 4-3 UDS对导电沟道和ID的影响,则管子的高频性能愈好。2. 输入电阻ri!